技術(shù)編號：6811930
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種抗靜電電路，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的抗靜電電路的薄膜晶體管，它能防止由于靜電放電(ESD)引起的結(jié)漏電流。還涉及一種制造該晶體管的方法。在IC處理過程中，既使有適當(dāng)?shù)胤雷o，也可能發(fā)生幾伏的靜電放電，并會嚴(yán)重損傷電路，導(dǎo)致器件即刻失效或?qū)ζ骷斐蓳p傷。所以。人們已對防止靜電放電(ESD)失效的方法作了大量研究。場效應(yīng)晶體管、雙極晶體管、有源晶體管的N+擴展電阻和n+結(jié)區(qū)中的輸入和輸出焊盤的漏電流的增加，嚴(yán)重影響諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)...
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