技術編號：6811981
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有使用雙鑲嵌工藝形成的多層互連的。背景技術 近年來，已開發(fā)了減小互連電阻和線間電容以獲得較高性能的半導體器件的技術。作為減小互連電阻的技術之一，現(xiàn)已知使用鑲嵌工藝的銅金屬化。稱為雙鑲嵌的工藝對減小互連電阻特別有效，在雙鑲嵌工藝中互連和過孔栓塞同時形成。由于互連形成在層間介質層中，因此使用低k層間介質層來減小互連電阻。例如，現(xiàn)在需要具有2.5或更小相對介電常數(shù)的低k層間介質。具體地，已開發(fā)了使用多孔材料膜的雙鑲嵌工藝。多孔膜具有以下特性通過干蝕刻...
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