技術(shù)編號(hào)：6812080
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，該半導(dǎo)體器件是由具有一雙極元件和一電阻元件的集成電路構(gòu)成或由具有一雙極元件和一MOS器件以混狀態(tài)結(jié)合在其中的一雙CMOS集成電路構(gòu)成。具有一雙極元件和常規(guī)電路必須具有一高精度的電阻器件，其通常是與雙極元件的基極擴(kuò)散層同時(shí)形成的。例如，已公開的有關(guān)這種構(gòu)造的技術(shù)，《超速數(shù)字器件》，第一輯，“超速雙極器件”，4.4.1節(jié)，90-91頁(yè)，BaiFukan出版。下面將結(jié)合附附圖說明圖1A到1C，介紹具有一雙極元件和一電阻元件集成電路的常規(guī)。-N+型...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。