技術(shù)編號：6812881
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。,y=0－2,z=0－2 ...的制作方法相關(guān)申請本申請是1995年9月25日提交的No．60／004269號臨時申請的部分繼續(xù)。本發(fā)明涉及薄膜半導體器件的制備方法。更具體地說，本發(fā)明涉及用于太陽能電池的銅-銦-鎵-硒化物薄膜的電淀積方法。銅-銦-聯(lián)硒化物(CuInSe2)和銅-銦-鎵-聯(lián)硒化物(CuIn1-xGaxSe2)的黃銅礦三元薄膜通常是指Cu(In、Ga)Se2、CIGS或簡單的CIS，近年來它們已經(jīng)成為人們關(guān)注和對半導體器件的研究的重點。硫也可...
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