技術(shù)編號(hào):6813853
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造,特別是涉及在半導(dǎo)體襯底上形成有由鉑族或含有鉑族的合金制成的導(dǎo)電層的半導(dǎo)體器件及其制造。背景技術(shù) 由于基于存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的電容器容量變得非常大,該器件的結(jié)構(gòu)由金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘?絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)。已經(jīng)研究出鐵電膜的材料包括高電介質(zhì)材料如氧化鉭和鈦酸鍶鋇及鐵電材料如PZT和SBT。金屬和氧化電阻優(yōu)異的導(dǎo)電氧化物被用作電容器的存儲(chǔ)電極。例...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。