技術(shù)編號(hào)：6815588
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及以自對(duì)準(zhǔn)方式形成器件布線用的接觸孔的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和制造方法。特別是在DRAM的存儲(chǔ)單元中應(yīng)用于以自對(duì)準(zhǔn)方式形成位線接觸點(diǎn)(contact)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)和制造方法時(shí)，本發(fā)明的效果很好。圖9是示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中的接觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)的圖。該圖9示出DRAM的存儲(chǔ)單元部分的剖面結(jié)構(gòu)，特別是示出位線接觸點(diǎn)和存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸點(diǎn)的狀態(tài)。在圖9中，1是硅襯底，2是元件分離區(qū)，3是柵絕緣膜，4是由導(dǎo)電性多晶硅等構(gòu)成的柵電極的一部分，5是由高熔點(diǎn)金屬與硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。