技術編號：6815630
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，特別是指一種硅(Si)襯底上生長無裂紋III族氮化物薄膜的方法背景技術III族氮化物半導體由于在顯示、光學數(shù)據(jù)存儲、高速大功率電子器件、紫外探測器等領域都有非常廣闊的應用前景，因此是非常有前途的材料。然而，由于缺乏合適的襯底，人們很難得到高質量的氮化鎵(GaN)薄膜。目前大多數(shù)的GaN薄膜都是在藍寶石(0001)上得到的，但是藍寶石仍然有許多缺點，諸如絕緣、難得到大尺寸、非常堅硬等。由于硅具有廉價、大尺寸，電導性和熱導性好以及有光電子器件...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。