技術(shù)編號：6816563
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體組件，尤其涉及。背景技術(shù) 許多年來，對電子組件的市場期盼就是不斷小型化。在為了滿足這種期盼的嘗試中，電子組件的設(shè)計(jì)者和制造商尋找在芯片上減小晶體管和其它電子器件空間的辦法。但是，隨著電子器件開始變得彼此越來越接近，在這些器件之間的電子干擾問題變得非常突出。使用深溝槽隔離結(jié)構(gòu)來電隔離在芯片上鄰近間隔的電子器件，而且在如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器(DRAM)和結(jié)合射頻(RF)的雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(BiCMOS)工藝流程這樣的應(yīng)用中深溝槽處理已經(jīng)是...
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