技術(shù)編號(hào)：6818713
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件中的互連系統(tǒng)，并且特別涉及一種具有Ti2N化合物的新的金屬互連系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及制造這樣一類半導(dǎo)體器件的方法。在諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器(DRAMs)之類的半導(dǎo)體器件中，互連系統(tǒng)更加精細(xì)的圖形以及器件元件更高的集成度與微型化已得到充分發(fā)展。對(duì)更精細(xì)的互連系統(tǒng)圖形，提出了分別用多晶硅上的硅化物(多晶硅化物)和硅化鎢作DRAM中的柵電極或字線和位線。在這種結(jié)構(gòu)中，通常將多晶硅化物用于在位線與構(gòu)成存貯器單元的金屬-氧合物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。