技術(shù)編號：6818847
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用來制作半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體基片及制作該基片的方法。隨著利用半導(dǎo)體基片的半導(dǎo)體器件的集成度的提高，必須減小PN結(jié)的漏電流。在制作半導(dǎo)體器件過程當(dāng)中引入的重金屬(如鐵、鎳、銅)的雜質(zhì)含量是造成漏流的一個因素。為了從半導(dǎo)體器件的工作區(qū)去除重金屬雜質(zhì)并捕獲這些雜質(zhì)，人們采用了多種吸收的方法。在某個吸收方法中，在具有第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面(即背面)的一個硅基片的背面形成一個多晶硅薄膜。通過在硅基片的背面形成多晶硅薄膜，用這個多晶硅薄膜...
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