技術(shù)編號(hào)：6818950
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，尤其涉及具有電路程序塊的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(以下稱為“DRAM”)，于此稱為“預(yù)充電數(shù)字線路(PDL)”，用于引導(dǎo)位線的預(yù)充電/平衡。具有層疊的存儲(chǔ)單元的DRAM和PDL是公知的，在放大一存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)后完成重寫入存儲(chǔ)單元時(shí)，具有電源或地電平的PDL是一用于預(yù)充電和平衡一對(duì)數(shù)字線的電路，PDL有一來自存儲(chǔ)單元的獨(dú)特形式。在一適當(dāng)?shù)胤轿恢茫缫淮鎯?chǔ)單元陣列，規(guī)則地設(shè)置一高密度圖形，繞圖形的邊緣會(huì)發(fā)生變形，使圖形的規(guī)則性被損害。這就稱為...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。