技術編號：6818982
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種含氟絕緣薄膜的生成方法，具體涉及低介電常數(shù)的加氟絕緣薄膜的一種生成方法，該薄膜用于多個布線層的半導體器件中使布線層彼此電絕緣。隨著大規(guī)模集成電路(LSI)的發(fā)展，在LSI的生產中，形成可靠性高的多層布線結構是十分重要的。在現(xiàn)有的多層布線結構中，為了避免布線層的相交和重迭，絕緣薄膜是夾在布線層之間的。這種層間絕緣薄膜一般由具有耐熱性和電絕緣的材料構成，如二氧化硅，氮化硅和硼磷硅玻璃。此外，層間絕緣薄膜是用化學氣相沉積(CVD)在布線層間生成的，...
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