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技術(shù)編號(hào)：6819154

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本發(fā)明涉及，特別是涉及有存儲(chǔ)單元的。迄今已知的一種易失性半導(dǎo)體裝置是SRAM(Static RandomAccess Memory)。在SRAM中將存儲(chǔ)單元配置在呈矩陣(行列)狀配置的互補(bǔ)型數(shù)據(jù)線(位線)和字線的交叉部位。圖59是表示現(xiàn)有的SRAM的存儲(chǔ)單元部分的等效電路圖，圖60是表示現(xiàn)有的SRAM的存儲(chǔ)單元部分的平面布局圖。參照?qǐng)D59及圖60，現(xiàn)有的SRAM的存儲(chǔ)單元由兩個(gè)存取晶體管A1及A2、兩個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管D1及D2、以及兩個(gè)高阻負(fù)載元件R1及R2構(gòu)...
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