技術(shù)編號：6819211
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及形成用于SOI襯底或諸如太陽能電池或面積傳感器的光電轉(zhuǎn)換器的薄膜的工藝。在具有SOI(絕緣體上的半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的襯底上形成的集成電路與在普通的硅片上形成的集成電路相比具有很多優(yōu)點。例如，(1)可容易地進行介質(zhì)隔離，從而能達到高的集成度，(2)抗輻射性能良好，(3)可減少飄浮(floating)電容，從而能達到高的工作速度，(4)可省去阱的形成步驟，(5)可防止閂鎖效應(yīng)(latch up)，和(6)由于通過薄膜形成能形成全耗盡型的場效應(yīng)晶體管，故可獲...
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