技術編號：6819282
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用了自對準接觸點(self contact)的。更詳細地說，涉及改善了自對準接觸點的形成方法并得到特性穩(wěn)定的接觸點的。隨著半導體存儲器的存儲容量的趨于大規(guī)?；?，在其中使用的存儲元件也趨于微細化。與此相隨，存儲元件內(nèi)的接觸點孔(例如DRAM存儲單元的位線接觸點)的直徑和布線間隔(例如DRAM存儲單元的傳輸門)也逐漸縮小。但是，在這種情況下，在光刻工藝中能形成的孔直徑中，由于光刻工藝的重合以及尺寸誤差的限制，存在有該接觸點孔中形成的上部布線(例如D...
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