技術(shù)編號:6819513
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種集成電路元件,特別是涉及一種具有水平延伸溝槽電容器(Trench Storage Capacitor)的動態(tài)隨機(jī)存取存儲單元的制造方法。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器是用以存儲存儲單元陣列上來自于電容器所存儲的電荷的數(shù)字信號。存儲單元是由一個存取晶體管(Access Transistor)與一個電容器組成。其中,存取晶體管通常為N通道(N-Channel)場效應(yīng)晶體管(FieldEffect Transistor,FET),并且以字線(Word Line...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。