技術(shù)編號：6820170
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及當(dāng)在硅晶片上形成MOS晶體管時(shí)除去重金屬雜質(zhì)的方法。在制造半導(dǎo)體器件的工藝中，在某些情況下硅晶片的表面和內(nèi)部被重金屬雜質(zhì)污染。污染發(fā)生在高溫?zé)崽幚聿襟E、離子注入步驟、腐蝕步驟等步驟中。眾所周知，如果重金屬雜質(zhì)分離進(jìn)入(segregate into)硅氧化膜，則由TDDB(時(shí)間相關(guān)的絕緣擊穿Time Dependent DielectricBreakdown)特性等表示的絕緣特性的可靠性降低了。吸氣技術(shù)作為防止由于重金屬雜質(zhì)引起的氧化膜可...
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