技術(shù)編號：6820463
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體基礎(chǔ)電路用基體材料制備；特別是提供了一種制備高導(dǎo)熱電子器件用摻雜金剛石膜復(fù)合基片的方法。背景技術(shù)CVD金剛石膜，它可以呈膜狀附著于基片表面，也可以自支撐成膜。金剛石具有許多獨特的優(yōu)良性質(zhì)，它是現(xiàn)在已知最硬的材料(104kg/mm2)，同時也有最高的強度、彈性模量和最大的熱導(dǎo)率(20W/cm ·Κ)。在電學(xué)上，它是很好的絕緣材料(電阻率IO11 IO16 Ω cm)， 具有很寬的禁帶(5. kV)，載流子的遷移率高(電子1800Cm2/VS，...
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