技術(shù)編號：6820608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件，該半導體器件主要以鐵電材料或高介電常數(shù)的材料作為其電容器的絕緣膜；本發(fā)明還涉及這種半導體器件的生產(chǎn)方法。近年來，在與非易失存儲器有關(guān)的，以及與隨機存取存儲器有關(guān)的半導體器件領域，人們一直在進行著開發(fā)工作。在相關(guān)的非易失存儲器的電容器區(qū)，使用具有磁滯特性的鐵電材料如Pb(Zr,Ti)O3和SrBi2Ta2O9作為電容器的絕緣膜；而在相關(guān)的隨機存儲器中，由于使用鐵電材料如(Sr,Ba)TiO3作為電容器的絕緣膜，其電容器區(qū)具有大量的存...
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