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技術(shù)編號：6820609

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本發(fā)明涉及制造多電平掩模ROM(只讀存儲器)的方法，特別涉及制造具有多電平ROM單元的掩模ROM的方法。在每個存儲單元內(nèi)具有絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGFET)例如MOSFET的常規(guī)非易失性半導(dǎo)體存儲器件通常能存儲1位數(shù)據(jù)，即“1”或“0”。隨著增加非易失性半導(dǎo)體存儲器件中存儲容量的需求不斷增加，近來提出一種多電平非易失半導(dǎo)體存儲器件，包括多個多電平存儲單元，每個單元能存儲多電平數(shù)據(jù)，例如2位數(shù)據(jù)。例如在JP-A-7-142611中介紹了制造具有多電平(或2位...
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