技術(shù)編號(hào):6820631
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種,其中與形成于硅襯底上的元件接觸的互聯(lián)由硅制造。為了減小接觸電阻或減小多晶硅柵極的電阻,常常采用作為硅與金屬合金的硅化物。例如,源和漏形成區(qū)的表面上涂布硅化物,以減小源和漏極間的接觸電阻。下面簡單說明一下利用硅化物制造MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的方法。如圖4A所示,在硅襯底601上以預(yù)定間隔形成場(chǎng)氧化膜602。場(chǎng)氧化膜602將硅襯底表面分隔,以形成元件形成區(qū)。為了調(diào)節(jié)晶體管的閾值電壓,向硅襯底601的每個(gè)元件形成區(qū)離子注入B...
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