技術(shù)編號(hào)：6820647
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過(guò)直接布線技術(shù)使用電子束輻射將絕緣膜制作圖形的方法，更具體地說(shuō)，涉及一種在制作絕緣膜圖形的同時(shí)有效防止在使用電子束輻射的直接布線期間由電子產(chǎn)生充電。制造半導(dǎo)體器件的曝光工藝大致分為兩種，一種為圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)，其通過(guò)用光或X-射線將形成在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)換到光刻膠膜上，而另一種直接布線技術(shù)是通過(guò)電子束直接將根據(jù)設(shè)計(jì)圖案畫(huà)出的圖形寫(xiě)到保護(hù)膜上。在直接布線技術(shù)中，如果在電子束輻射到晶片上的絕緣膜上期間晶片或基片的接地不完全，就會(huì)產(chǎn)生電子充電，其中電子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。