技術(shù)編號：6820652
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件，特別是涉及一種高壓半導體器件的結(jié)構(gòu)。圖6是一種傳統(tǒng)的高壓P溝道MOS場效應管的結(jié)構(gòu)剖視圖。在圖6中，7是P型Si單晶半導體基片，6是在P型Si單晶基片7上形成的低濃度N-型阱擴散層，1是在低濃度N-型阱擴散層6上形成的P+型漏擴散層，2是Si的局部氧化物層，3是低濃度P-型電場馳豫層，4是多晶硅柵極，5是P+型源擴散層，9是柵的氧化物膜。這樣就構(gòu)成了一個半導體器件。對于圖6這種結(jié)構(gòu)，通過適當調(diào)整低濃度N-型阱擴散層6和低濃度P--...
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