技術編號：6820665
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件制造方法，特別涉及一種利用硅的有選擇的生長方法的制造帶有絕緣柵極場效應晶體管(IGFET)的半導體器件的方法。近幾年來，隨著集成度的增加，半導體器件越來越趨向小型化，象存儲器或邏輯器件這樣的大量電子器件被集成一塊半導體基片或芯片上。在高度集成的半導體器件中，通常使用象金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)這樣的IGFET。為了適應小型化和集成度增加的趨勢，需要解決由于在IGFET中的短溝道效應所引起的問題。一種已知的解決該問題...
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