技術編號:6820793
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及主要用于批量生產(chǎn)具有均勻質(zhì)量的SOI襯底的襯底處理方法和裝置,具體地涉及制造SOI襯底的多孔硅以及SOI襯底。多孔硅是A.Uhlir和D.R.Turner在研究氫氟酸(下文簡稱“氟酸”)的水溶液中正電位偏置的單晶硅的電解拋光時發(fā)現(xiàn)的。此后,為了探索多孔硅的優(yōu)良反應性,考查硅集成電路制造時形成厚絕緣結(jié)構(gòu)以用于元件隔離,開發(fā)了使用多孔硅氧化膜的完全隔離技術(多孔氧化硅完全隔離)(K.Imai,Solid State Electron 24,159,1...
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