技術編號：6821589
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種同時清潔半導體晶片的無機和有機污染物且微蝕刻該半導體晶片的方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種采用包括堿性化合物和中等烷氧基化物(mid-range alkoxylate)的堿性水溶液同時清潔半導體晶片的無機和有機污染物且微蝕刻該半導體晶片的方法。背景技術傳統(tǒng)地，可通過如下步驟制造半導體晶片(1)通過內徑鋸切割一半導體錠以獲得晶片；(2)用水清洗該晶片以去除污染物；以及(3)然后清潔該晶片以去除包括重金屬和顆粒的污染物然后干燥。這樣的晶片典型地在光...
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