技術編號：6823108
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。相關申請本申請要求1997-04-17提交臨時申請60/043,261的權益，在此將該申請內(nèi)容并入本文作為參考。背景技術發(fā)明領域本發(fā)明涉及納米絕緣薄膜及其制法。此種薄膜可用于集成電路的生產(chǎn)。先有技術描述隨著集成電路生產(chǎn)中的特征尺寸逼近0.25μm以下，互聯(lián)阻容延遲、功率消耗及串音等問題變得越來越顯著。電平間絕緣(ILD)和金屬間絕緣(IMD)用途的低介電常數(shù)(K)材料在集成電路中的使用，部分地緩解了這些問題，然而每一種K值低于目前所用致密二氧化硅的候選材料...
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