技術(shù)編號：6823199
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種通過植入法摻雜的由碳化硅組成的半導(dǎo)體區(qū)的熱自愈方法和一種半導(dǎo)體元件。單晶形式的碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)良物理性能的半導(dǎo)體材料，這些性能使該半導(dǎo)體材料尤其在光電子學(xué)、高溫電子學(xué)和大功率電子學(xué)領(lǐng)域內(nèi)受到重視。雖然SiC發(fā)光二極管也能在市場上買到，但SiC基大功率半導(dǎo)體元件到目前為止還沒有商業(yè)化。這主要是由于SiC基片的制造費用昂貴和與硅(Si)相比制造工藝更困難。問題之一在于單晶SiC的摻雜。與硅不同，由于要求高于1800℃的高溫，SiC通過...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。