技術(shù)編號：6824002
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件、半導體器件設計方法、記錄用于執(zhí)行半導體器件設計方法的程序的記錄介質(zhì)和半導體器件設計支持系統(tǒng)，特別涉及能夠防止半導體工藝在形成金屬布線時由發(fā)生在等離子體步驟中的天線效應引起的天線故障的半導體器件、半導體器件設計方法、半導體器件設計方法記錄介質(zhì)和半導體器件設計支持系統(tǒng)。在近來的半導體工藝布線步驟中，已經(jīng)使用了各種等離子體技術(shù)。代表性的等離子體技術(shù)包括例如，在布線層構(gòu)圖時的干法腐蝕，在多層布線步驟中的布線層絕緣膜的等離子體TEOS膜淀積等，...
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