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本發(fā)明是在使硅片預(yù)退火的DRAM工藝中運(yùn)用快速熱處理(RTP)來實(shí)現(xiàn)預(yù)退火/氧化聯(lián)合步驟。特別是，本發(fā)明的方法在使硅片預(yù)退火的改進(jìn)處理過程中，能借助于一次RTP過程同時形成溶蝕區(qū)(DZ)和指定厚度的襯墊氧化物(pad oxide)。在制備硅片的過程中，在經(jīng)卓氏生長(Czochralski growth)后的Si棒中是存在著氧的。氧的來源是盛著生長中的熔融硅的石英坩堝，部分的氧溶解在熔融硅中。當(dāng)從硅棒切成硅片后，氧仍存在于硅片中，多數(shù)是以填隙的方式存在。因此...
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