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技術(shù)編號：6825050

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本發(fā)明涉及一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)，特別涉及一種用于包括場效應(yīng)晶體管和堆疊電容器的DRAM的存儲單元及其制造方法。DRAM是最重要的集成電路之一。一種典型的DRAM包括排列成行和列的大陣列的存儲單元，各存儲單元用于存儲可以控制單元的讀入和讀出的二進(jìn)制數(shù)字(位)。為了存儲寫和讀操作間的數(shù)據(jù)位，每個存儲單元一般包括與一般為MOS晶體管的開關(guān)串聯(lián)的電容器。為了在單個硅片上提供大陣列的存儲單元，重要的是采用占用小硅片面積且可以密集封裝的存儲單元。由于這種...
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