技術(shù)編號:6829879
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總體上涉及介電薄膜的制備。更具體地說,本發(fā)明涉及介電材料和含該介電材料的具有低介電常數(shù)和改善的機械性能的薄膜及其制備方法。背景技術(shù) 在微電子工業(yè)中,需要不斷增加多級集成電路器件例如內(nèi)存芯片和邏輯芯片的電路密度,以改善運行速度和降低能量消耗。為了不斷減小集成電路中器件的大小,防止不同金屬涂層之間電容性串音的要求變得越來越重要。這些要求可以概括成表達符號“RC”,其中“R”是導線的電阻,“C”是絕緣介電隔層的電容。電容“C”與線的間隔成反比并且與隔層電介...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。