技術(shù)編號:6830947
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明揭示新型大功率半導(dǎo)體芯片或器件(包括GaN基發(fā)光二極管(LED))倒扣焊組合和燈具,以及生產(chǎn)新型大功率半導(dǎo)體芯片或器件倒扣焊組合的晶片水平的倒扣焊工藝方法。背景技術(shù) 芯片水平的倒扣焊工藝方法,特別是對大功率GaN基發(fā)光二極管(LED),有下述不足之處(1)工藝方法復(fù)雜,設(shè)備昂貴,生產(chǎn)效率低,這是低成本大批量生產(chǎn)大功率GaN基發(fā)光二極管的瓶頸;(2)由于使用有機填充材料,致使散熱效率達不到預(yù)期;(3)在襯底晶片和外延層之間的晶格不匹配依然存在;(4)襯...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。