技術(shù)編號：6831732
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及抑制在I/C芯片和基板之間的底充材料中破裂的有害效應(yīng)和裂縫的擴(kuò)展，其中通過焊料球，有時(shí)稱為C4接點(diǎn)把芯片連接到基板，并更具體地涉及在利用焊料球焊接的I/C芯片和基板之間的底充材料中形成的裂縫的愈合。背景技術(shù) 底充材料的裂縫通常導(dǎo)致電失效，該底充材料用來密封把I/C芯片連接到基板的焊料球。這些裂縫可以在組裝或熱循環(huán)(可靠性測試或場循環(huán))期間擴(kuò)展。當(dāng)電子封裝經(jīng)受數(shù)量增加的熱循環(huán)時(shí)，這些裂縫的長度將增加。已知道這些裂縫的擴(kuò)展會(huì)引起銅線和C4接點(diǎn)中的...
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