技術(shù)編號(hào)：6831733
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及一種用于形成結(jié)晶半導(dǎo)體層的方法，一種用于制造半導(dǎo)體裝置的方法，一種用于形成結(jié)晶半導(dǎo)體層的裝置，以及一種用于制造顯示裝置的方法，通過采用激光束所述結(jié)晶半導(dǎo)體層從非單晶半導(dǎo)體層進(jìn)行結(jié)晶。正如眾所周知的，諸如薄膜晶體管(TFT)的薄膜半導(dǎo)體設(shè)備具有基底，其中由半導(dǎo)體物質(zhì)如硅組成的半導(dǎo)體層形成在由絕緣材料如石英玻璃形成的基底物質(zhì)上。在該基底的半導(dǎo)體層中，溝道區(qū)限定在互相分開形成的源極區(qū)和漏極區(qū)之間。在該溝道區(qū)上設(shè)置穿過絕緣膜的柵極。該半導(dǎo)體層一般...
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