技術(shù)編號(hào):6832988
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置,尤其涉及對(duì)源·漏進(jìn)行了改良的MIS型。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體集成電路的高性能化中,必須對(duì)作為其構(gòu)成要素的場(chǎng)效應(yīng)型晶體管進(jìn)行高性能化。針對(duì)元件的高性能化的指導(dǎo)原則是小型化(scaling),迄今為止已通過(guò)微細(xì)化提高了元件性能。但是,今后微細(xì)化的極限已被指出,尤其是形成淺的結(jié)時(shí),現(xiàn)狀是如果用國(guó)際半導(dǎo)體路線圖則難以實(shí)現(xiàn)65nm時(shí)代的10~20nm結(jié)(漏延伸部)。近年來(lái),為了取代現(xiàn)有的pn結(jié),提出了使源·漏成為肖特基結(jié)的MOSFET(參照例如非專...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。