技術(shù)編號:6832994
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及含有磁化方向因外部磁場而變化的磁感應(yīng)層的磁阻效應(yīng)元件和磁性存儲單元,與利用這些磁阻效應(yīng)元件和磁性存儲單元中的磁感應(yīng)層的磁化方向的變化進行信息的記錄·讀出的磁性存儲器件。背景技術(shù) 歷來,作為用于計算機或通信設(shè)備等的信息處理裝置的通用存儲器,使用著DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)或SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)等易失性存儲器。在這些易失性存儲器中,為了保持記憶而要不斷地供給電流,進行更新。此外,由于如果切斷電流則所有的信息丟失,所以除了這些易失性存儲器...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。