技術(shù)編號(hào):6833146
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造微電子器件,更具體而言,涉及電介質(zhì)層中溝槽的精確形成。背景技術(shù) 通過(guò)在由各種材料制成的各種結(jié)構(gòu)構(gòu)造中形成層和溝槽,可以產(chǎn)生比如半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的微電子結(jié)構(gòu)。與被用于對(duì)諸如高介電常數(shù)(或“高K”)膜的電介質(zhì)膜進(jìn)行圖案化的傳統(tǒng)技術(shù)有關(guān)的一項(xiàng)挑戰(zhàn)是精確地形成溝槽,以避免對(duì)相鄰結(jié)構(gòu)的完整性的損害。參考圖1A,描繪了典型的柵極結(jié)構(gòu)的橫截面圖,其中與高K柵極氧化物層102相鄰形成了具有間隔層108、110、112、114的兩個(gè)柵極104、106,其中高K柵極氧...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。