技術(shù)編號:6833334
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu),特別是具有低電阻的厚n型氮化鎵系接觸層的氮化鎵系發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù) 習(xí)知技術(shù)氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多量子井結(jié)構(gòu)(multiquantumwell,MQW)發(fā)光二極管,是利用n型氮化鎵(GaN)作為n型-接觸層(Contacting layer)。但如果想利用高摻雜濃度(n>1×1019cm-3)的硅,制造低電阻的厚n型氮化鎵接觸層,在實(shí)際制造過程中發(fā)現(xiàn),在氮化鎵層內(nèi)部,往往會因硅(Si)重?fù)诫s的結(jié)果而導(dǎo)致易...
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