技術(shù)編號：6833356
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使半導(dǎo)體器件高耐壓化的技術(shù)。特別是涉及與把已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的中心區(qū)域圍起來的保護(hù)環(huán)有關(guān)的技術(shù)。背景技術(shù) 為了在功率控制方面應(yīng)用，人們正在開發(fā)具備MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)構(gòu)造或IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)構(gòu)造等的半導(dǎo)體開關(guān)元件組的半導(dǎo)體器件。圖12例示出了具備半導(dǎo)體開關(guān)元件組的半導(dǎo)體器件的平面圖。圖中M是中心區(qū)域，是已形成了半導(dǎo)體開關(guān)元件組的區(qū)域。圖中N是周邊區(qū)域，把中心區(qū)域M圍了起來，位于半導(dǎo)體襯底137的周邊。在周邊區(qū)域N中，形成有...
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