技術(shù)編號：6833950
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般性地涉及一種，更具體地講，涉及一種，其中在一單元區(qū)域中形成一相對較薄的側(cè)壁氧化膜，而在一周邊電路區(qū)域中形成一相對較厚的側(cè)壁氧化膜，以改善保持時間特征，防止熱載流子現(xiàn)象，并減小維持電流。背景技術(shù) 圖1a至1d為說明依據(jù)一現(xiàn)有技術(shù)用以形成器件隔離膜的方法的橫截面圖。參考圖1a，在具有一單元區(qū)域與一周邊電路區(qū)域的一半導(dǎo)體襯底10上依次形成一墊氧化物層20與一墊氮化物層30。將硬掩模層圖案40用作蝕刻掩模，蝕刻該墊氮化物層30、該墊氧化物層20及該半導(dǎo)體...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。