技術(shù)編號:6834447
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及采用垂直布里奇曼法、垂直溫度梯度凝固法制備的添加硅的砷化鎵(GaAs)單結(jié)晶基板,尤其是關(guān)于制作LED、激光二極管等光裝置時,作為基板使用的、采用垂直布里奇曼法、垂直溫度梯度凝固法制備的添加硅的砷化鎵單結(jié)晶基板。背景技術(shù) 作為基板使用的砷化鎵(以下記作GaAs)等化合物半導(dǎo)體單結(jié)晶,一直以來,通過采用水平布里奇曼法(HB法)、液體封閉上引法(LEC法)、垂直布里奇曼法(VB法)及垂直溫度梯度凝固法(VGF法)等各種工業(yè)方法來制備(如參考專利文獻1...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。