技術編號：6834597
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體元件，特別是涉及一種。背景技術 在各種非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品中，具有可進行多次數(shù)據(jù)的存入、讀取、抹除等動作，且存入的數(shù)據(jù)在斷電后也不會消失的優(yōu)點的可電抹除且可編程只讀存儲器(EEPROM)，已成為個人計算機和電子設備所廣泛采用的一種存儲器元件。典型的可電抹除且可程序只讀存儲器以摻雜的多晶硅(polysilicon)制作浮置柵極(floating gate)與控制柵極(control gate)。而且，為了避免典型的可電抹除且可程序只讀存儲器...
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