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技術(shù)編號(hào)：6834976

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本發(fā)明涉及，例如可適用于晶體管或集成電路、存儲(chǔ)器的。背景技術(shù) 一直以來，作為一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)，將具有MOS(MetalOxide Semiconductor)結(jié)構(gòu)等的器件形成在SOI(Silicon on Insulatingsubstrate)襯底上。并且，為將元件之間隔離，用pn結(jié)隔離或氧化膜隔離(例如LOCOS(Local Oxidation ofSilicon)法等)等。還有，在專利文獻(xiàn)1特開平10-209446號(hào)公報(bào)中公開了降低硅襯底中的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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