技術(shù)編號：6835381
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種電氣硅熔絲(e-fuse)的使用方法，特別涉及一種以多階脈沖電壓(multi-level pulse voltage)燒斷電氣硅熔絲的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體內(nèi)存組件集成度的增加，相對地，產(chǎn)品的良率即可能下降。這是由于半導(dǎo)體制造步驟的復(fù)雜化以及困難度提高，在工藝步驟或者后段封裝過程中難免由于微粒等污染因素的導(dǎo)入使組件產(chǎn)生缺陷。而為了提升良率，現(xiàn)有技藝是以一種稱為冗余電路(redundancy circuit)的方法來取得想要的半導(dǎo)體內(nèi)存組件...
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