技術(shù)編號：6836171
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，尤其是關(guān)于具有電容器上的絕緣層的半導(dǎo)體裝置，及其制造方法。背景技術(shù) 就如廣為人知的，半導(dǎo)體存儲器裝置集成的微型化和大型化的趨勢已被大大地要求，以確保包含在動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)單元中的電容器有足夠的電容值。為了得到足夠的電容值，介電材料是通過堆疊氧化鋁(Al2O3)和氧化鉿(HfO2)形成，或電容器的上電極和下電極是通過使用金屬，如氮化鈦(TiN)形成。因此，在電容器上方形成絕緣層的案例中，絕緣層基本上應(yīng)透過低溫處理形成...
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