技術編號:6836176
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是關于一種用于研磨半導體晶圓基材的化學機械研磨裝置及研磨方法,特別是有關于一種在各研磨步驟間整合有化學機械研磨度量的化學機械研磨裝置及研磨方法。背景技術 在來自一硅晶圓的半導體裝置的制造中,多個半導體制程設備或機臺會被使用。其中一種半導體制程機臺即是用來研磨薄型及平坦的半導體晶圓,以獲得一平坦化的表面。在需經(jīng)常被使用于邏輯與記憶裝置中的一淺溝絕緣(shallow trench isolation,STI)層、內(nèi)層介電材料(inter-layer di...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。