技術編號：6836195
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)及其制造方法，并特別涉及一種通過金屬誘導橫向晶化(MILC)工藝形成的TFT及其制造方法。背景技術 可用于TFT的有源層的多晶硅層可通過在絕緣襯底上沉積非晶硅層、然后用熱來晶化該層形成。借助于熱處理的固相晶化(SPC)、借助于激光晶化的準分子激光退火(ELA)、以及金屬誘導橫向晶化(MILC)或其他類似方法可用于晶化非晶硅層。SPC法要求晶化所需的高溫，而ELA法需要昂貴的設備，激光的不穩(wěn)定性可能在多晶硅中產(chǎn)生與時間和空間...
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