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技術(shù)編號：6836266

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本發(fā)明是關(guān)于一種制造半導(dǎo)體裝置的方法；尤其是關(guān)于一種使用凹槽溝道陣列晶體管(RCAT)技術(shù)，制造半導(dǎo)體的方法。背景技術(shù) 由于半導(dǎo)體裝置集成和精密度的程度增加，所以要求的制程能力和可靠度也增加。尤其，在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的情形下，晶體管的特性幾乎是由淺溝槽隔離(STI)制程和形成柵極結(jié)構(gòu)的制程決定。此晶體管的特性是決定DRAM整體的穩(wěn)定性最重要的因素。因此，應(yīng)該要確實改善STI制程和形成柵極結(jié)構(gòu)的制程的穩(wěn)定性，以增加DRAM整體的可靠度。STI制...
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