技術(shù)編號：6838907
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型提供了一種可去除半導(dǎo)體晶片表面銅氧化物及水氣的系統(tǒng)，特別是一種可去除半導(dǎo)體晶片表面銅氧化物及水氣的超臨界二氧化碳系統(tǒng)。背景技術(shù)近年來，為配合組件尺寸縮小化的發(fā)展以及提高組件操作速度的需求，具有低電阻常數(shù)和高電子遷移阻抗的銅金屬，已逐漸被應(yīng)用來作為金屬內(nèi)連線的材質(zhì)，取代以往的鋁金屬工藝技術(shù)。金屬銅本身具有許多先天上的優(yōu)勢，例如(1)低電阻特性，其阻值為1.7μΩ-cm，而鋁則為2.7μΩ-cm；(2)良好的抗電子遷移性，比鋁高了四個(gè)數(shù)量級(orde...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。